Noyabr 3-5, 2009 Bakı Azərbaycan TƏŞKİlat komiTƏSİ




Yüklə 1.79 Mb.
səhifə3/12
tarix20.04.2016
ölçüsü1.79 Mb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЗАРЯДОВОЕ

СОСТОЯНИЯ ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИТОВ
А.М. Магеррамов, М.А. Нуриев, Ф.И. Ахмедов,

Н.Ш. Алиев, А.А. Шукюрова, Мехтиева Т.С.

Институт Радиационных Проблем НАН Азербайджана,гор.Баку

musa_nuriev@mail.ru
Изучения зарядового состояния электроактивных полимерных композитов является важной задачей и это связано с расширением возможностей их практического применения в электронной технике и радиационного материаловедения. Как известно, в гетерогенных системах полимер-оксидные наполнители механизмы поляризации в основном, определяется состоянием полимерной матрицы, эффективной поверхностью наполнителя и свойствами межфазной границы [1].

Изучение изменений релаксации и стабилизации зарядового состояния и диэлектрических свойств этих материалов при воздействии внешних факторов позволяет прогнозировать требования к структуре компонентов. При внешних воздействиях таких как g-, УФ- облучения и электрополевая обработка материалов наблюдается определенные изменения в структуре композиционного материала, которые отражаются в их зарядовом состоянии. Например, при облучении электронами 0,25 МэВ на полиметилметакрилате (ПММА) происходит уменьшение локализации электронов центрами захвата с увеличением плотности тока пучка. Показано, что концентрация центров захвата в диэлектрике складывается из структурных дефектов создаваемых ионизирующим излучением и опустошение захвативших электроны ловушек происходит за счет процесса ударной ионизации под действием первичного электронного пучка2.

Целью представленной работы является изучение влияние электронного облучения на зарядовое состояние полимерных композитов на основе полипропилена (ПП) и окиси титана (ТiО2). Образцы композитов были получены путем горячего прессования из смеси порошков полимера и наполнителя. Количество наполнителя в композите было 4% и 7% объ. Электронное облучение образцов произведено на ускорителе ЭЛУ-4 максимальной энергией электронов 4МэВ при токе 2мкА . Поляризация произведена коронным разрядом в системе игла- плоскость при напряжении 6кВ в течении 5 минут. Для изучения особенностей зарядового состояния использован метод термостимулированной деполяризации (ТСД). Спектры токов ТСД снимались стандартным способом при линейном росте температуры образца со скоростью ~5К/мин.

Из рисунка 1 и 2 видно, что в спектрах тока ТСД наблюдаются в основном два максимума. Первый максимум в области температур 318-327К может быть связан освобождением зарядов из ловушек приповерхностного слоя захваченных при облучении и воздействии короны. Второй максимум спектра в области температур 348-363К, по видимому, обусловлен релаксацией зарядов из центров захвата находящейся в объеме полимерной матрицы при их термическом разрушении. Электроактивные свойства должны определятся взаимной релаксацией зарядов стабилизированных в этих центрах захвата композитов. Сравнения спектров тока ТСД исходных и облученных образцов полимера(ПП) и композитов на их основе ПП/ТiО2 показывают, что увеличение объемного содержании наполнителя приводит к увеличению количества накопленных зарядов в относительно глубоких ловушках. Это утверждение подтверждается фактом смешения положений максимумов в спектре токов ТСД в сторону высоких температур.

На рис.1. представлены спектры токов ТСД композитов ПП/ 4%ТiО2. Из этих зависимостей следует, что увеличение времени облучение сопровождается смешением температуры второго максимума в сторону низких температур что, свидетельствует о ухудшении поляризации в результате деструкции матрицы композита. Этому способствует заполнение приповерхностных центров захвата первичными электронами до насыщения, полем которых экранируется дальнейший приток и захват электронов.

Из спектров тока ТСД облученного ПП, необлученного и облученного композитов ПП/ 7%ТiО2 (рис.2) видно, что у необлученного композита заряд после короны накапливается только в поверхностных низкоэнергетических ловушках. В этом же композите после электронного облучения наблюдается также два максимума, причем второй максимум проявляется при более высоких температурах, чем тот же максимум для композита ПП/ 4%ТiО2.

Установлено, что модифицирующие действие электронного облучения на композиты ПП/ ТiО2 наблюдается при малых временах облучении, а при увеличении времени облучения наблюдается уменьшение стабилизированных зарядов в результате превалирования экранизации со стороны первичных электронов и деструктирующих действий электронного облучения.

Рис.1. Спектры токов ТСД композитов ПП/ 4%ТiО2 с различным временем облучения: 1-t =10мин. D=4,71014см-2 ; 2-t =20мин. D= 9,4  1014 см-2 ; 3-t =30мин. D= 14,1  1014 см-2




Рис.2. Спектры токов ТСД облученного ПП(1), необлученного(2) и облученного(3) композитов ПП/ 7%ТiО2 : t =20мин., D= 9,4  1014 см-2

Литература
1. А.М. Магеррамов, М.А. Нуриев, Ф.И. Ахмедов, Х.В. Багирбеков, Х.А. Садыгов Зарядовое состояния полимерных композитов модифицированных гамма лучами

7-я межд. конф. «Ядерная и радиационная физика» 2009, Алматы, Казахстан, с.79-80.

2.Куликов В.Д. Особенности заполнения центров захвата электронами в диэлектрических материалах при интенсивном электронном облучении.

ЖТФ, 2007, том 77, №5, с.23-29


ЗАВИСИМОСТЬ СТАЦИОНАРНОГО ФОТОТОКА ОБРАЗЦОВ

GaS1-xSex ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И γ – ИЗЛУЧЕНИЯ
Р.С.Мадатов, Т.Б.Тагиев, Т.М.Аббасова, Ф.П.Абасов

Институт Радиационных Проблем НАНА
В связи с широкими перспективами практического применения полупроводниковых соединений, вопрос о действии радиации на эти вещества представляется очень интересным . Теоретический анализ возможных случаев возникновения точечных дефектов в этих кристаллах значительно белее сложнее, чем в однородных полупроводниках, экспериментальные данные показывают, что под действием ионизирующих излучений во всех случаях возникают как донорные, так и акцепторные центры.

По мере возрастание числа радиационных дефектов до значений, значительно превосходящих исходные концентрации химических примесей равновесная концентрация носителей и связанное с ней положение уровня Ферми приближается к предельным значениям. Эти предельные значения определяются системой возникающих энергетических уровней радиационных нарушений. Создания избытка атомных дефектов при облучении приводит к изменению многих физико- химических характеристик материала: электропроводности, фотопроводимости и является удобным способом контролируемого управления как свойствами материала, так и характером и типом нарушений решетки [1, 2].

Для получения систематизированных данных по радиационной стойкости слоистого монокристалла GaS1-xSex проводилось исследование влияние γ- облучения (источник Со60) на его фотоэлектрические свойства.

Исследованные образцы облучались γ-квантами с энергией 1,3 Мэв в интервале доз 10÷200 крад. Использованные кристаллы имели p-тип проводимости, с удельным сопротивлением 8·108 ом.см. при комнатной температуре и выращены по методу [3]. Примесь Er вводилось в шихту во время синтеза и ее концентрация составляло ~1018 см-3. Омические контакты наносились на противоположные поверхности кристалла серебряной пастой. Измерение фотопроводимости проводились по стационарной методике [4].

Температурная зависимость фототока GaS1-xSex изучена при освешении светом из полосы собственного поглощения (λ=590 nm).

На рис.1 приведена зависимость фотопроводимости от температуры до (кривая 1) и после облучения (кривая 2-5). Как видно из графика до облучения образца зависимость Jф имеет четыре участка. При низких температурах (110-:-180К) фотопроводимость практически постоянна. Начиная с температуры Т=180К. фотопроводимость экспоненциально возрастает до температуры Т=450К. Выше Т=450К температуры начинается экспоненциальное температурное гашение фототока. Из температурной зависимости фотопроводимости найдена энергия активации уровней Е1=0,043 эВ, Е2=0,260 эВ, Е3=0,450 эВ [4].

После облучения образцов γ- квантами фототок увеличивается во всей области спектра. Активация фототока удовлетворительно объясняется прилипанием основных носителей заряда в рамках трехуровневой модели для монополярного полупроводника [4] в которой присутствуют два типа центров рекомбинации ( r- и s- центры ) и одни тип центров прилипания основных носителей ( t ).

Введение уровней прилипание ( t ) приводит к активации, а введение r-центров к температурному гашению фототока.

Начало активации с увеличением доз сдвигается в сторону высоких температур, а заканчивается при одних же температур.
Литература.


  1. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз. М. 1963.

  2. .В.С. Вавилов, И.А. Ухин. Радиационные дефекты в полупроводниковых приборах. М. 1969.

  3. Процессы роста и выращивание монокристаллов. /Перевод с английского под редакцией Н.Н.Шефталя/. Изд.иностр.лит. Москва 1963.

  4. А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Определение параметров центров прилипания в полупроводниках по температурной зависимости фототока. УФЖ. 1973. т.18.№1, 133-139.



ТЕРМОВЫСВЕЧИВАНИЕ КВАРЦЕВЫХ ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДОВ С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ ОН-ГРУПП
Амонов М.З.

Институт ядерной физики АНРУ, Ташкент

shoh@inp.uz
Исследования послесвечение (ПС), кривые термовысвечивания (ТВ) и спектры поглощения (СП) -облученных при 77К каврц-кварцевых волоконных световодов изготовленное фирмой « Polymico ». Обнаружено, что ход термической Е' - центра (210нм) и ПС совпадают и заканчиваются при температуре 85К. Дальнейший нагрев световодов до 290К не может концентрации Е' - центров, что противоречить выводам работы [1] об участии Е' - центров в рекомбинационных процессах вызывающие пик ТВ при 110К.

Наши исследование показали что, ловушки, обуславливающие Е'- центры в кварц-кварцевых световодах имеют глубоких уровни залегания и рекомбинационных процессах в интервале температур 85-550К не участвуют. Нами показано, что в интервале температур 85-220К носителями зарядов в рекомбинационных процессах являются различных Vк-центры. Возрастание при 300К объясняется перезахватом части электронов при безизлучательном распаде электронного центра с полосой поглощения при 250 нм.


Литература.


  1. Е.М. Дианов, Л.С. Корниенко, Никитин и др. Квантовая электроника 10, 473 (1983).



ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАДИОАКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

В СОСТАВЕ ЗМЕИНОГО ЯДА
Ш.Ф.Топчиева, М.А.Мехрабова, Г.А.Абиев, Дж.А.Нагие

Институт Зоологии НАНА

Институт Радиационных Проблем НАНА

shtopchiyeva@mail.ru
Яды змей издавна привлекали внимание ученых, как источник лекарственных средств, однако лишь в последние десятилетия в этом направлении достигнуты важные успехи. Змеиные яды применяются для лечения и профилактики ряда заболеваний. Яды змей и некоторые их компоненты применяются в биологии и в медицине в качестве своеобразных тест-веществ для анализа биологических систем. Oпределенные кон­центрации яда кобры могут заменить препараты морфия и при чем рас­творы змеиного яда оказывают при этом более продолжительное, пролонгированное действие, не вы­зывая толерантности больных к препарату [1,2]. Высказано мнение и о возможности применения змеиных ядов для получения обратного развития опухолевой ткани [3]. Так экспериментально установлено, что смесь яда кобры и гадюки замедляет рост опухоли у больных саркомой. При этом были выявлено, что яд кобры, способствует уменьшению или полному исчезновению ме­тастазов в регионарных лимфатических узлах у больных с карциномой прямой кишки, молочной железы, языка и пилорической части желудка. Змеиные яды представляют большую ценность для медицины и био­логии. Яды змей используются при приготовлении моно- и поливалентных сывороток. Яд гюрзы применяется как кровоостанавливающее средство в отоларингологии при опера­циях во время удаления миндалин, при носовых кровотечениях и т.д.

    Действие ионизирующей радиации на живой организм интересовало мировую науку с момента открытия и первых же шагов применения радиоактивного излучения, так как с самого начала исследователи столкнулись с его отрицательными эффектами. С этой точки зрения влияние радиации на змеиный яд, а также на среду его обитания играет важную роль[4].

    Для исследования кристаллов змеиного яда былы проведены экспедиции в районы Гобустан, Бина, Шамахы, Сабирабад и Кюрдемир. Во время экспедиции был проведен отлов гюрз со взятием яда, а также были взяты пробы почвы для исследования радиационно активных элементов. Змеи были после дойки отпущены в природу, яд помещен в эксикатор, высушен для проведения анализа на определение радионуклидов в составе кристаллов змеиного яда.

    Вес яда был измерен на электронном микроскопе. Время эксперимента -24 часа. Спектр, определяющий активность радионуклидов в змеином яде был снят на гамма спектрометре «CANBERRA». Определен радиационный фон радионуклидов в образцах змеиного яда и проб почвы. В таблице представлены радиоактивные элементы, имеющиеся в составе змеиного яда и почвы.



Анализируюшиеся параметры

Удельная активность, mBk/g

Образец 1

Образец 2

Образец 3

K-40

23.4 ± 1.8

27.4 ± 1.2

34.7 ± 1.4

Ra 228

0.174 ± 0.090

0.242 ± 0.075

0.342 ± 0.100

Ra-226

2.48 ± 0.05

3.21 ± 0.08

2.88 ± 0.07

Cs 137

MDA=0.315

MDA=0.274

MDA=0.345

Таблица 1. Удельная активность радионуклидов в составе образцов змеиного яда






Рис. Спектры, определяющие активность радионуклидов в змеином яде






Итак, в данной работе был определен природные радионуклиды низкой активности в образцах змеиного яда и в образцах почв, взятых с территории, где был проведен отлов змей. Выявленная активность элемента урана в спектре яда является результатом радиационного фона, которая образуется при воздействии ионизирующей радиации на окружающую среду. Наличие малой активности радионуклидов в исследуемых образцах яда свидетельствует о влиянии окружающей среды на продукты жизнедеятельности змей. На основе полученных данных анализов можно констатировать, что исследуемый яд пригоден для приготовления лекарственных препаратов на основе змеиного яда. В таких дозах яд может быть использован в фармацевтической промышленности для приготовления лекарственных препаратов, а также противоядий на основе зоотоксинов.



Литература


    1. Challet E., Pierre J., Reprant J. The serotoninergic system of the brain of the viper, Vipera aspis. An immunohistochemical studi. J. Chem. Neuroanat., 1991, v. 4, No 4, p. 233-238.

    2. Abe Y., Shimoyama Y., Munakata H., Ito I., Nagata N., Ohtsuki K. Characterization of an apoptosis-inducing factor in Habu snake venom as a glycirrhizin (GL)-binding protein potently inhibited by GL in vitro. Biol. Pharm. Bull., 1998, v. 21, No 9, p. 924-7.



3. Коган А.Б., Наумов Н.П., Рекабон Б.Г. Биологическая кибернетика, М., 1997, 408с.

4. Абиев Г.А., Топчиева Ш.А., Мехрабова М.А. Электрофизические свойства яда

гюрзы Vipera Lebetina obtusа. ANAS Transitions, 2009, №2, с.144-147.


электрические и диэлектрические свойства электронно облученного монокристалла сульфида галлия
С.Н.Мустафаева, А.А.Исмайлов

Институт физики НАНА

solmust@gmail.com
Целью настоящей работы явилось изучение влияния электронного облучения на электрические и диэлектрические свойства монокристаллов GaS, выяснение природы диэлектрических потерь и механизма переноса заряда на переменном токе.

Частотные зависимости диэлектрической проницаемости (), тангенса угла диэлектрических потерь (tg) и ac-проводимости (ac) получены с помощью измерителя добротности ВМ-560 (50 кГц–35 МГц) при комнатной температуре.

Источником электронного облучения служил электронный линейный ускоритель ЭЛУ-4. Образцы из монокристалла GaS облучались потоком электронов с энергией 4 МэВ. Доза -облучения изменялась в пределах от 21012 до 1013 э/см2.

Изучены частотные зависимости диэлектрической проницаемости образца GaS до и после -облучения. Наблюдаемое в экспериментах монотонное уменьшение диэлектрической проницаемости монокристалла GaS с ростом частоты свидетельствует о релаксационной дисперсии как до, так и после -облучения. При частотах f > 107 Гц величина  практически не зависела от частоты. В диапазоне частот 5104 –107 Гц в результате -облучения диэлектрическая проницаемость GaS возрастает, а при f > 107 Гц электронное облучение не вызывает изменения величины . По мере увеличения дозы -облучения в GaS наблюдалась более ощутимая диэлектрическая дисперсия.

В отличие от  мнимая составляющая () комплексной диэлектрической проницаемости монокристалла GaS уменьшалась после -облучения. Соответственно, с увеличением дозы -облучения дисперсия  также уменьшалась. На рисунке приведены зависимости  и  монокристалла GaS от дозы -облучения (Ф) при f = 105 Гц. Влияние -облучения на величину  при высоких частотах (f > 107 Гц) сказывалось слабо.

После электронного облучения тангенс угла диэлектрических потерь в GaS уменьшался во всем изученном диапазоне частот. Наиболее существенное уменьшение tg за счет -облучения наблюдалось при f = 5104 Гц, а при f > 107 Гц изменение tg было менее ощутимым. Характер частотной зависимости tg в монокристалле GaS до и после -облучения свидетельствовал о потерях сквозной проводимости.

Изучены также частотные зависимости ac-проводимости поперек слоев монокристалла GaS до и после -облучения различными дозами. В результате электронного облучения ac-проводимость монокристалла GaS уменьшается. Уменьшение электропроводности облученных полупроводников обычно связывают с компенсацией первоначально существовавших электрически активных примесных центров более глубокими энергетическими уровнями радиационных дефектов. Компенсация проводимости должна быть наиболее резко выражена именно в полупроводниках с глубокими энергетическими уровнями радиационных дефектов, т.е. в полупроводниках с широкой запрещенной зоной, каковыми и являются монокристаллы GaS. В области частот f = 5104–107 Гц ac-проводимость монокристалла GaS как до, так и после -облучения изменяется по закону ac f n, где n = 0.7–0.8, а при f > 107 Гц наблюдается линейная зависимость ac от f. Зависимость ac f 0.8 свидетельствует о том, что проводимость GaS в диапазоне частот f = 5104–107 Гц обусловлена прыжками носителей заряда между локализованными вблизи уровня Ферми состояниями.

Рисунок 1. Дозовые зависимости действительной (1) и мнимой (2) составляющих

комплексной диэлектрической проницаемости монокристалла GaS при частоте переменного электрического поля f = 105 Гц.
Экспериментальные данные показали, что по мере накопления дозы -облучения (Ф) в образце энергетическая полоса локализованных вблизи уровня Ферми состояний расширяется. Как известно, облучение монокристалла не только вызывает рождение радиационных дефектов, но и стимулирует отжиг и миграцию имеющихся в кристалле дефектов, что и приводит, по-видимому, к энергетическому перераспределению локальных состояний в окрестности уровня Ферми, в частности, их размытию.

Таким образом, облучение монокристалла GaS потоком электронов с энергией 4 МэВ и дозами 21012 и1013 э/см2 приводит к появлению радиационных дефектов. Эти дефекты некоторым образом компенсируют изначальные дефекты структуры монокристалла. В результате этого диэлектрическая проницаемость монокристалла GaS по мере накопления дозы -облучения растет, а значения , tg и ac – уменьшаются. Из вышеуказанного следует, что за счет -облучения монокристалла GaS можно управлять его диэлектрическими коэффициентами, а также величиной проводимости на переменном токе.



TORPAQ VƏ SUDAN AYRILMIŞ NEFTLƏRƏ İONLAŞDIRICI

ŞÜALANMANIN TƏSİRİ
N.Quliyeva, K.Yaqubov, S.Əliyeva, S.Əhmədbəyova

AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu

s_aliyeva-rp@inbox.ru
Balaxanı neft mədənləri ərazisində sudan, torpaqdan ayrılmış və quyudan götürülmüş neftlərin radiasiya-kimyəvi çevrilmələri tədqiq olunmuşdur.

Abşeron yarımadasında sənaye üsulu ilə neft istehsalına təqribən 150 il əvvəl başlanılmış və indiyədək 1300 mln tona qədər neft istehsal olunmuşdur. Bu qədər neftin istehsalı, hazırlanması (sudan və digər qarışıqlardan təmizlənməsi), daşınması və emalı proseslərində ətraf mühitin, xüsusilə də torpaqların və suların karbohidrogenlərlə çirklənməsi prosesi baş vermişdir. Nəticədə 15 min hektara qədər ərazi və 200-dən çox göl müxtəlif dərəcədə neftlə çirklənmişdir. Bu isə su, torpaq və havada bitki, heyvan və insan həyatı üçün təhlükəli olan külli miqdarda toksiki və zərərli maddələrin yaranmasına səbəb olmuşdur.

Neftli torpaqların təmizlənməsi üçün dünyada müxtəlif texnologiyalar tətbiq olunur. Bu texnologiyaların səmərəliliyi ətraf mühitə dağılmış və uzun illər deqradasiyaya məruz qalmış neftin xassələrindən ciddi surətdə asılıdır.

Ətraf mühitdə neftin deqradasiyası prosesində radiasiyanın rolunun qiymətləndirilməsi və radiasiya-kimyəvi üsulla torpaqların neft qarışıqlarından təmizlənməsi imkanlarını araşdırmaq məqsədi ilə hər 3 nümunənin radiasiya-kimyəvi çevrilmələri zamanı qazların yaranması və nümunənin molekulyar quruluşunun, habelə tərkibinin dəyişməsi qanunauyğunluqları tədqiq olunmuşdur.

Sudan, torpaqdan ayrılmış və quyudan götürülmüş neft nümunələrinin şüalandırılması zamanı hidrogenin yaranma kinetikası 1-ci şəkildə verilmişdir.

Şəkil 1. Sudan, torpaqdan ayrılmış və quyudan götürülmüş neft nümunələrinin radiolizində hidrogenin yaranma kinetikası (1016 molek/q)

Göründüyü kimi, tədqiq olunmuş doza intervalında (166 kQr-ə qədər) hidrogenin yaranma sürəti ən çox xam neftin şüalanması zamanı müşahidə olunur.

Qazların ümumi çıxımı da xam neftdə ətraf mühitdən götürülmüş neftə nəzərən daha böyükdür. Belə ki, qazların ümumi radiasiya-kimyəvi çiximi xam neft üçün G1=0,33 molekul/100 eV olduğu halda, torpaqdan ayrılmış neft üçün bu rəqəm G2=0,091, sudan ayrılmış neft üçün isə G3=0,054-ə bərabərdir. Beləliklə, qaz yaranması prosesində nəzərən ən böyük radiasiya davamlılığına sudan ayrılmış neft malikdir. Bu qanunauyğunluq nümunələrin tərkibi və quruluşu ilə izah oluna bilər. Ölçmələr göstərir ki, torpaqda qalmış neftin tərkibində asfaltenlərin miqdarı 0,1%-dən 14%-ə qədər, suda isə 4,1%-ə qədər, qətranların miqdarı isə torpaqda 3,9%-dən 14%-ə qədər, suda isə 17,1%-ə qədər artmışdır.

Ətraf mühitdə qalmış neftin tərkibində yüksək radiasiya davamlılığına malik olan bu tipli maddələrin konsentrasiyasının artması alınan nəticələri izah etməyə imkan verir. Müşahidə olunan qanunauyğunluqları izah etmək üçün əlavə olaraq şüalandırılmamış və 166 kQr doza ilə şüalandırılmış nümunələrin İQ spektrləri çəkilmişdir. Neft nümunələrinin molekulyar quruluşunun İQ və EPR-spektroskopiya metodları ilə müqayisəli tədqiqi göstərir ki, suda qalmış neftdə -CH2, -CH3 qruplarının miqdarı xam neftdə olduğundan 37-46%, torpaqdan ayrılmış nümunədə isə 4-11% azdır.

Oksigentərkibli qruplar isə xam neftdə sudan ayrılmış nümunədən 3,7 dəfə, torpaqdan ayrılmış neftdən 3 dəfə azdır ki, bu da təbii şəraitdə neftin oksidləşməsi prosesinin nəticəsidir.

Aromatik həlqənin ikiqat rabitələrinin miqdarı xam neftdə torpaqdan ayrılmış neftdən 2,6 dəfə, sudan ayrılmış neftdən isə 2,8 dəfə azdır. Bu isə təbii şəraitdə qalmış neftdə aromatik karbohidrogenlərin nisbi miqdarının artdığını göstərir.

İQ spektrlərin təhlili göstərir ki, quyu neftində aromatikləşmə dərəcəsi aşağı və oksigenli qruplar çox azdır, amma bu nümunələr –CH3 və -CH2 qrupları ilə zəngindir. Torpaqdan və sudan ayrılmış nümunələrdə oksigentərkibli qrupların miqdarı daha çoxdur. Bu onların təbii şəraitdə uzun illər oksidləşmə prosesinə məruz qalması ilə bağlıdır.

Şüalanma nəticəsində bütün nümunələrdə aromatikləşmə dərəcəsinin artması, –CH3, -CH2 və CO qruplarının azalması müşahidə olunmaqdadır.

Şüalandırma nəticəsində baş verən proseslərin sürəti ayrı-ayrı nümunələrdə fərqlidir. Belə ki, radiasiyaya ən az davamlı quyudan götürülmüş neft nümunələridir. Digər hallarda radioliz nəticəsində həm qazların çıxımı azalır, həm də struktur dəyişmələri zəif baş verir.

Radiasiyaya ən davamlı nümunə su üzərindən ayrılmış nümunədir. Bu onunla bağlıdır ki, su üzərində uzun müddət qalan neft nümunələri ultrabənövşəyi şüalanma və digər biotik və abiotik təsirlər altında zəif funksional qrupları ayrıldığı üçün onun radiasiyaya davamlılıq xüsusiyyəti yüksəlir.

Beləliklə, ətraf mühitin müxtəlif təsirləri altında qalmış neftdə baş verən oksidləşmə və polikondensasiya prosesləri nəticəsində onların tərkibi, molekulyar quruluşu və beləliklə də radiasiyaya davamlılığı artır. Bu nəticələri ətraf mühitdən neftin təmizlənməsinin radiasiya-kimyəvi texnologiyasının yaradılmasında və neftin ətraf mühitdə deqradasiyasında radiasiyanın rolunun qiymətləndirilməsində istifadə etmək olar.



PXB -PRORPİL SPİRTİ SİSİTEMİNİN RADİOLİZİ ZAMANI POLİXLORBİFERİLLƏRİN XLORSUZLAŞDIRILMASI

PROSESİNİN TƏDQİQİ
M.Ə.Qurbanov, Ə.H.Qurbanov, Z.J.İsgəndərova,N.Ə.İbadov, Əliyeva S.H.

AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu
Sənayedə istehsal olunan texniki polixlorbifenillər bir-birindən malekulunda olan xlor atomunun sayi və vəziyyəti ilə fərqlənən 50-70 izomerindən ibarət olur. Bu izomerlərin çox hissəsində xlor atomunun sayi 3-8 arasında olur. Çox az miqdarını xloru az və ya çox olan birləşmələri təşkil edir. 1970-ci ildə bu birləşmələrin ətraf mühitin ən zərərli çirkləndiriciləri kimi tanınana qədər PXB-lərin istehsalı sürətlə artırdı. Dielektrik maye kimi isitfadə olunan polixlorbifenillərin potensial təhlükəsi energetika sənayesində transfarmatorların və kondensatorların sızması, buxarlanması, təmizlənməsi, doldurulması, təmiri, onlarda yanğın, germetikliyin pozulması hallarında yaranır. Polixlorbifenillərn uzunmüddətli kimyəvi davamlılığı, lipofilliyi kimi xüsusiyyətləri insan və heyvanların beynində, ağciyərlərində, böyrəklərində, qara ciyərlərində onların bioakkumlyasiyası ilə nəticələnir.

Polixlorbifenillər davamlı üzvü çirkləndicilər qrupuna aid olduğundan onların zərərsizləşdirilməsi böyük əhəmiyyət kəsb edir. Transfarmator yağlarından PXB-lırin zərərsizləşdirilməsi üçün müxtəlif metodlardan istifadə edilir. Bunlardan kimyəvi və elektrokimyəvi xlorsuzlaşdırmanı, termiki, foto və radiasiya-kimyəvi, biotexnoloji və sair metodları göstərmək olar.

Bu məqsədlə biz radiasiya kimyəvi metoddan istifadə etmişik.

Radiasiya kimyəvi metodu ilə xlorsuzlaşdırmanın effektliyini artırmaq üçün əlavə kimyəvi agentlərin istifadəsi tələb olunmur. 2.2, 4.4, b.b-heksaxlorbifenillərin xlorsuzlaşdırılmasını aşağıdakı stexiometrik bərabərliyin timsalında göstərmək olar.



Müəyyən edilmişdir ki, radiasiya –kimyəvi xlorsuzlaşdırma prosesi mütəhərrik hidrogenə malik olan birləşmələrin (su, spirt, karbohidrogenlər və s.) iştirakı ilə aparıldıqda alınan məhsulların xarakteri dəyişir.



Bu məqsədlə transformator yağlarında PXB-lərin xlorsuzlaşdırılması üçün ionlaşdırıcı şüaların təsiri altında radiolizinin öyrənilməsi xüsusi əhəmiyyətə malikdir. Reaksiya normal temperatur və təzyiqdə aparılır. İonlaşdırıcı şüa mənbəyi kimi Co60 izotopu istifadə olunmuşdur. Şüalanma 050Mrad dozasında aparılmışdır və bu proses nəticəsində transformator yağlarının tərkibindəki PXB-rin qatılıqlarının dozadan asılılığı öyrənilmişdir. Polixlorbifenilli trasformator yağlarının xlorsuzlaş-dırılmasnın effektliliyini artırmaq üçün propil spirtindən istifadə edilmişdir.

Müəyyən olunmuşdur ki, PXB-propil spirti olan qarışığın radiolizi PXB-lərin xlorsuzlaşdırılmasına müsbət təsir göstərir. Nümunələrin analizi ABŞ-nın “Varian” firmasının istehsalı olan xromotoqrafda aparılmışdir.

KARBOHIDROGEN QAZLARIN HIDROGENSULFIDDƏN FOTOKİMYƏVİ ÜSULLA SELEKTIV TƏMIZLƏNMƏSI
H.M.Mahmudov, S.A. Hüseynova, İ.İ.Mustafayev

AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu

hokman@rambler.ru
Karbohidrogenlərin hidrogensulfid qazından selektiv təmizlənməsi ultrabənövşəyi şüaların təsiri ilə aparılmışdır. Hidrogensulfid qazı görünən oblastda yaxın sahədə ultrabənövşəyi şüalar effektiv udduğu halda, digər karbohidrogen qazlar (CхHу) bu oblastda işığı udmur. Nəticədə hidrogensulfid qazının parçalanması baş verir ki, bu da əsasən hidrogen qazının və qiymətli kükürd elementinin yaranmasına səbəb olur.

UB-şüalarların təsirindən karbohidrogen qazlarinda əsasən həyəcanlanmış hissəciklər, radikallar, molekuldaxili qarşılıqlı enerji mübadiləsi, molekulların kinetik enerjilərinin artması və digər proseslər baş verir. Civə lampalarının buraxdığı spektirlərlə qaz komponentlərinin udma spektrlərini müqayisə etdikdə görmək olar ki, hidrogen qazı hidrogen sulfidin fototolizi zamanı yaranır. Dzantiyev B.Q və digərləri [1] tədqiqatlarında UB şüaların təsiri ilə hidrogensulfid və C2H4+H2S qarışığının fotolizi nəticəsində hidrogenin molekulasının yaranma qanunauyğunluğunu ətraflı tədqiq etmişlər. Müəyyən etmişlər ki, hidrogensulfidin fotolizi zamanı əsasən “qızğın” hodrogen atomu yaranır ki, bu da prosesin baş vermə temperaturdan asılı olmayaraq H2S-dən digər bir H qopararaq molekulyar hidrogen əmələ gətirir. Bu prosesdə hidrogenin kvant çıxımı φ(Н2)=1-1,2 bərabər olur. Bu halda baş verən reaksiyaları qısa olaraq aşağıdakı şəkildə göstərmək olar:


H2S H*+HS (1)

H2S+H* H2+HS* (2)


Bizim apardığımız tədqiqatlar əsasən görünən oblasta yaxın intervalda H2S+karbohidrogen qazlarının (CхH2x+2) fotolizinə baxılmışdır. Bu işdə əsas məqsəd fotokimyəvi metodla fakel təssərüfatında səmt qazları ilə ətraf mühitə buraxılan qaz qarışığını hidrogen sulfiddən sellektiv təmizləmək və həmin qazlardan energetikanın məqsədləri üçün istifadə etməkdir.

Tədqiq etdiyimiz obyektlərdə əsasən model sistem olaraq müxtəlif qatılıqlarda CH4÷C4H8 və H2S qarışıqlarının fotolizi oyrənilir. Hazırlanmış nümunələr =365 nm dalğa uzunluğlu şüa buraxan lampada (PRK-4, 0,03-0,3 MPas, Hg-parı) =0÷1 saat intervalında şüalandırılır.

Fotoliz nəticəsində alınan hidrogenin qatılığı “Qаzахrоm-3101” xromatoqrafında analiz edilmişdir. Cihazin hidrogenə görə həssaslığı K=6,0*1013 molekul/(sm3*mm)-dir.

Tədqiqat bir neçə variantda yerinə yetirilmiş, əsasən hidrogenin yaranmasının t=0.5 saat müddətində hidrogen sulfid qatılığından asılılığı öyrənilmişdir (şək.1). Alınmış qrafikdən görünür ki, =0,5 saat müddətində hidrogenin yaranmasının hidrogensulfid qatılığından asılılığı Р=1÷10 torr. intervalında xətti olaraq artır. Sonrakı Р>10 torr. həddlərdə təzyiqdən asılı deyildir. Bizim apardığımız tədqiqatların nəticəsində məlüm olur ki, bu intervalda hidrogen sulfidin fotolizindən hidrogen molekuluna görə kvant çıxımı φ(Н2) =0,2 bərabər olur. Qaz yaranma prosesi daha optimal temperaturlarda H2S-in fotokimyəvi parçalanması nəticəsində baş verir. Faktiki ölçmələrdə sistemin orta temperaturu T=80÷125 0С intervalında dəyişir.






Şək.1 Fotoliz nəticəsində yaranan hidrogenin konsentrasiyasının hidrogen sulfidin təzyiqindən asılılığı
Bu sahədə tədqiqatlar davam etdirilir, yaranan hidrogen molekulunun çıxımına karbohidrogen qazların kəmiyyət və keyfiyyət göstəricilərinin müxtəlif şəraitdə təsiri aydınlaşdırılır.

Ədəbiyyat


1.Дзантиев Б.Г., Ермаков А.Н., и.др. Подача энергии при радиолизе смесей сероводорода с этиленом. Арм. хим. журнал 1975. №28. ст.175

РАСПРОСТРАНЕНИЕ ЕСТЕСТВЕННЫХ РАДИОНУКЛИДОВ НА ТЕРРИТОРИИ ЦЕНТРАЛЬНОГО РАЙОНА РЕКИ КУРЫ
М.А.Абдуллаев, Ш.М.Аббасов, Б.А.Сулейманов, А.Дж.Микаилова, А.М.Тагийева*

Институт Радиационных Проблем НАНА

* Институт Нефте- Химических Процессов НАНA

shabbasov@rambler.ru
Естественные и исскуственные радиоактивные вещества достаточно равномерно распределены в окружающей среде (за исключением аномальных геологических и антропогенных районов повышенной радиоактивности) и являются ее активными метаболитами.

К естественному радиационному фону относятся равномерно распределенные в среде радионуклиды, возраст которых совпадает с возрастом Земли, а также видоизмененное при прохождении через атмосферу космическое излучение. Взаимодействие фоновых излучений с веществом экосистемного метаболизма, и прежде всего с его наиболее активными (микроэлементными) звеньями, ведет к инициации и стимулу обменных процессов биосферы.

В Азербайджане подобные работы проводились эпизодически. Лишь в Институте почвоведения и агрохимии, а также в Институте географии АН Азербайджана велись работы по изучению концентрации отдельных естественных радионуклидов в отдельных типах почв.

Наблюдения за распределением и миграцией естественных радионуклидов в почвенном покрове Азербайджана проводились в различных регионах республики: в зоне сухих степей Малого Кавказа, в горной зоне Малого Кавказа, на Кура – Араксинской низменности, в области Большого Кавказа.

Распределение и миграция естественных радионуклидов в почвах сухих степей носит сложный характер. Так, содержание урана – 238 в почвах изменяется в пределах 0,4 – 2,8 сБк/г, а средняя концентрация его составляет 2,2 сБк/г. Разница между минимальными и максимальными значениями – в 2 раза. Минимальная концентрация этого радионуклида наблюдается в каштановых (серо - коричневых) почвах, занятых под пшеницей. Максимальной концентрацией урана 238 отличаются гажевые почвы. Средняя концентрация радия – 226 в почвах региона равна 1,3 сБк/г, при колебаниях от 1,2 до 1,4 сБк/г. Как видно, больших различий в содержании радия – 226 в почвах сухих степей не наблюдается. Концентрация полония – 210 в почвах изменяется от 1,5 до 2,7 сБк/г, составляя в среднем 2,1 сБк/г. Максимальная концентрация полония – 210 характерна для каштановых (серо - коричневых) почв. Содержание тория – 232 в почвах сухих степей варьировало от 1,3 до 2,0 сБк/г и в среднем составляло 1,8 сБк/г. Значения концентраций тория – 228 в почвах довольно близкие (1,2 – 1,5 сБк/г) и в среднем составляет 1,4 сБк/г. урана. Причиной этого явления может быть то, что многолетие окультуривание почвы в условиях сухих степей могло приводить к некоторой припашке в пахотный слой пород из нижележащих горизонтов, в которых накапливается уран. Внесение минеральных удобрений изменяет химические свойства почвы, способствует подвижности радия – 226. все эти процессы могут приводить к накоплению в пахотном горизонте урана.

Распределение и миграция естественных радионуклидов в почвах Кура – Араксинской низменности изучалось в луговоболотных, сероземно – луговых пахотных почвах и луговых солончаках. Концентрация урана – 238 в почвах данного региона колеблется от 2,5 до 4,3 сБк/г. Максимальным содержанием этого радионуклида отличается луговые солончак. Сероземно – луговые пахотные почвы характеризуются значительно меньшим содержанием урана – 238, чем солончак луговой и лугово – болотные почвы. Концентрация тория–232 в почвах изменяется в пределах 1,7–2,7 сБк/г. Наименьшим содержанием тория – 232 характеризуются луговоболотные почвы и солончак луговый. Несколько повышенным содержанием этого радионуклида отличаются сероземно – луговые пахотные почвы.

Таблица 1. Результаты исследований образцов почвы



Места отбора почв

226Ra

(Bk/kq)

232Th

(Bk/kq)

40K

(Bk/kq)

137Cs

(Bk/kq)

Агдашский район

35.8 ± 0.8

51.6 ± 1.6

883.0 ± 19.2

<1.7

Агсуиский район

28.0 ± 0.12

43.2 ± 2.4

758.0 ± 20.0

<2.0

Гойчайский район

29.2 ± 0.8

42.4 ± 1.4

690.0 ± 16.0

<1.4

Бардаиский район

26.8 ± 0.8

32.2 ± 1.4

606.0 ± 14.0

<1.2

Агджабединский район

20.4 ± 1.0

26.0 ± 1.4

518.0 ± 14.0

<1.5

Зардабский район

24.2 ± 0.8

31.0 ± 0.8

588.0 ± 16.0

<0.8

Йевлахский район 1

48.6 ± 6.8

16.0 ± 0.6

357.8 ± 8.4

<0.78

Йевлахский район 2

32.0 ± 1.0

8.8 ± 1.0

262.6 ± 10.6

<1.06

Литература




  1. A.А.Моисеев, В.И. Иванов «Справочник по дозиметрии и радиационной гигиене», Москва,Энергоатомиздат,1990. 250 стр.

  2. Suleymanov B.A, Humbatov F.Y, Abasov Sh.M, , Mikayilova A.C, Lisanova E.V.Distrubition of radionuclides in Yevlakh region area. The Fourth Eurasian conference on nuclear science. Baku. Azerbaijan. 2006. pp. 121

  3. Guidebook on Nuclear Techniques in Hydrology. International atomic energy agency. VIENNA. 1983. 434 pp.

  4. Sh.M. Abbasov, B. A. Suleymanov, F.Y. Hummbatov, Mikailova A.C., M.M. Ahmadov. Distribution of Radionuclides in Central Region of Azerbaijan, The fifth Eurasian conference on nuclear science and its application, 14-17 October 2008, Ankara-Turkey, p.225-226.

  5. Абдуллаев М.А., Алиев Дж.А. Миграция искусственных и естественных радионуклидов. Баку – «Элм» - 1998. 238 с.

-ШЦАЛАНМЫШ КОМПОЗИТЛЯРИН ДИЕЛЕКТРИК СПЕКТРОСКОПИЙАСЫ


М.М. Гулиyев, Р.С.Исмайилова, Я.Я.Шцкцрова

А МЕА Радиасийа Проблемляри Институту

musafir_g@rambler.ru

Йцксяк пйезо-, пироелектрик вя електрет хассяляриня малик актив полимер композитлярин ишляниб щазырланмасына артан тялябат полимер ялавя гарышылыглы тясир дяряъясинин, щямчинин ялавя иля сярщяддя макромолекулларын йцрцклцйц иля онларда баш верян полйарлашма просесинин хцсусиййятляри арасындакы ялагянин айдынлашдырылмасы истигамятиндя апарылан елми-тядгигат ишлярини стимуллашдырыр.

Yeni elektroaktiv kompozit materiallar almaq, onların radiasiyaйа davamlığını artırmaq, elektrofiziki xassяlяrini idarя etmяk истигамятиндя апарылан елми-тядгигатларын матрисайа дисперс електрик кечириъи qeyri цzvц doldurucularын дахил едилмяси йолу иля щяйата кечирилир. Belя doldurucular kimi metal oksidlяrdяn эениш istifadя olunур. Bu kompozitlяrя xarici faktorların: шцalanmanın, temperaturun, tяzyiqin tяsir mexanizmini aydınlaшdırmaq чox aktual problemlяrdяndir. Belя tясirdяn sonra kompozitlяrin bir чox fiziki xassяlяri: dielektrik nцfuzluğu (ε) vя диелектрик итэи буъаьынын танэенси (tgδ), xцsusi електрик keчiriciliyi () dяyiшikliyя уьрайыр.

Апарылан тядгигат ишиндя йцксяк сыхлыглы полиетилен (ЙСПЕ) вя метал оксидляри (Ъу2О вя БаО) гарышыьындан алынан композит нцмунялярин диелектрик хассяляринин шцаланма дозасындан (500 кГр-йя гядяр) вя долдуруъунун щяъми пайындан (30%-я гядяр) асылылыьы юйрянилмишдир.

Бу тядгигат иши цчцн диск шякилли нцмуняляр щомоэен полимер – метал оксиди гарышыьындан термик преслянмя цсулу иля алынмышдыр. Температур 433К, тязйиг 15 МПа, нцмунялярин диаметри 40 мм, галынлыьы 150-180 мкм олмушдур. Нцмуняляря елекерик контакты диаметри 30 мм, галынлыьы ися 7 мкм олан Ал електродларын преслянмяси йолу иля тямин едилмишдир. Шцаланма мянбяйи 60Ъо изотопу, дозанын эцъц 3,310 Гр/с. Нцмунялярин диелектрик нцфузлуьу (e) вя диелектрик итэи буъаьынын танэенси (тэd) Е7-20 типли ъищаз васитясиля тяйин едилмишдир.

Шякил 1-dя ЙСПЕ+5%БаО, шякил 2 –dя ися ЙСПЕ+5% Ъу2О композитляри цчцн тэd =ф(Т) вя  = ф(Т) асылылыглары верилмишдир.




10
8

6
4
2


323 373 423 K



4
2

1

3


tg103


323 373 423 K



1
2
3,4

10
8

6
4

2


Шяк. 1. ЙСПЕ+5%БаО композитляри цчцн  = ф(Т) вя тэd =ф(Т) асылылыглары:

1-D=0; 2-D=50; 3-D=200; 4-D=500kQr;
Шцаландырылмамыш ЙСПЕ+5%Ъу2О щалында e=ф(Т) асылылыьы илкин полимерин уйьун асылылыьыны тякрар едир. ЙСПЕ+5%БаО щалында ися ЙСПЕ-нин фаза кечиди областында e ъцзи артыр.

ЙСПЕ композитляринин шцаландырылмасы шцаланма дозасынын кичик гиймятляриндя (50 kQr-йя гядяр ) e вя тэd-нын гиймятини Ъу2О щалында уйьун олараг 2 вя 4 дяфяйя гядяр артырыр, удулма дозасынын сонракы гиймятляриндя (500kQr-а гядяр) щямин характеристикалар кичилир.

Удулма дозасынын 50kQr-а гядяр артмасы ЙСПЕ+5%БаО композитиндя e-нун гиймятинин бюйцмяси вя тэd-нын ися кичилмясиня сябяб олур.

Бу композитлярин тэd =ф(Т) асылылыглары да цмуми аспектляря малик олмагла йанашы, бир сыра фяргли ъящятляр нцмайиш етдирир, беля ки, ЙСПЕ+5%Ъу2О щалында удулма дозасынын 200kQr гиймятиндя мцшащидя олунан 2 максимумун явязиня Д=500kQr гиймятиндя йалныз бир даща бюйцк интенсивликли максимум йараныр.

БаО долдуруъусу щалында ися 200kQr цчцн мцшащидя олунан максимумлардан икинъисинин амплитудасы Д=500kQr олдугда, кичилир, биринъининки ися кифайят гядяр бюйцйцр. Бцтцн щалларда тэd =ф(Т) асылылыьында ашаьы температурлар областында

Шяк. 2. ЙСПЕ+5%Cu2О композитляри цчцн  = ф(Т) вя тэd =ф(Т) асылылыглары:



    1. D=0; 2-D=50; 3-D=200; 4-D=500kQr;

мцшащидя олунан биринъи пик Д-нин артмасы иля даща ашаьы температурлар областына тяряф (10-150) сцрцшцр.

ЙСПЕ вя онун ясасында алынан композитлярин диелектрик хассяляринин тядгиги эюстярир ки, 5%-я гядяр Ъу2О долдурулмуш ЙСПЕ-дя e вя тэd-нын гиймятляринин дяйишмяси еля дя нязяря чарпмыр, лакин БаО иля ишляндикдя бу характеристикаларда дяйишикликляр нязяря чарпаъаг дяряъядя щисс олунур.

Шцаландырылмамыш нцмунялярдя =ф(Т) асылылыьында 383К-дян сонра e-нун артмасы мцшащидя олунур. 3104Гр-йя гядяр шцаланма ЙСПЕ+Ъу2О системиндя e вя тэ-нын гиймятлярини нязяря чарпаъаг дяряъядя дяйишмир.  -шцаланмайа бу характеристикаларын чох да щяссас олмамасы ону эюстярир ки, онларын башланьыъ гиймятлярини тяйин едян електрон вя йа атом полйарлашмасы дипол полйарлашмасына нисбятян цстцнлцк тяшкил едир.

ЙСПЕ+БаО композитляри цчцн шцаланмадан сонра e вя тэd-нын ящямиййятли дяряъядя бюйцмяси мцшащидя олунур.

Шцаландырылмыш ЙСПЕ+Ъу2О композитляринин тэd =ф(Т) асылылыьында максимум мцшащидя олунур. Ялавянин щяъми пайы вя удулма дозасынын мигдары артдыгъа онун интенсивлийи бюйцйцр вя 10-150 ашаьы температурлар областына сцрцшцр. Удулма дозасынын Д=30kQr гиймятиндя ЙСПЕ+3%Ъу2О композитляриндя температурун артмасы иля 403К-я гядяр щямишя e-нун артмасы мцшащидя олунур. тэd-нын эцълц температур асылылыьы вя e-нун температурун артмасы иля бюйцмяси ону эюстярир ки, диелектрик итэиляриндя полимер композитлярин диелектрик релаксасийасы дейил, щяъми електрик кечириъилийи ясас рол ойнайыр.

ЙСПЕ+БаО композитляриндя бцтцн щалларда температурун 353К-ня гядяр артмасы e-ну артырыр, сонра ися e кичилир. Шцаландырылмыш ЙСПЕ+БаО композитляриндя тэd=ф(Т) асылылыьында максимумда тэd-нын нисбятян зяиф дяйишмяси мцшащидя олунур. тэd–нын йцксяк температурларда мцшащидя олунан максимумунун интенсивлийинин артмасы вя ашаьы температурлар тяряфя сцрцшмяси мцшащидя олунан щадисянин полимер матрисада олан електрик йцкляри иля шяртляндийини демяк цчцн ялавя аргумент кими бахыла биляр.
INFLUENCE OF RADITION ON CORONOELECTRETS BASED ON

POLYMER COMPOSITIONS OF POLYPROPYLENE AND

POLYETHYLENE
A.A.Aliyev

Institute of Radiation Problems ANAS

ablasan@rambler.ru
Determination of non-equilibrium charge relaxation mechanism in dielectric films has a large scientific and practice interest in connection with application of dielectric films in microelectronics, electret techniques, electro photography and in other areas. However, a lot of questions connected with relaxation of non-equilibrium charge in nonpolar thin film polymers stay unsolved. In particular, the questions on determination of criteria rating to relaxation processes in nonpolar dielectrics to which numerous relaxation models known at present, on structure of trap energy spectra, on geometric displacing of traps and etc. are not studied. These factors make difficulties for interpretation of experimental results. [1-4]

With the purpose of study of preliminary influence of γ-radiation on stability of coronoelectrets of PE, PP, and their mixes, electrets properties of HDPE/PP mixes at range of addition one of components (up to 10%) and influence of preliminary γ-radiation in air up to dose 10 Mrad are investigated. Isotropic films of HDPE/PP, LDPE/PP with 50% mass concentration and 60-120 mkm thickness were obtained from melt, then were polarized by unipolar corona discharge in the electrodes system of needle – plate at distance of 1 cm between them, 5 min. change time of and 7 kV voltage. Polymers and their mixes were irradiated in air on installation of Co60; dose rate was 70 Rad/s. [5-7] It is discovered that electrets potential for PP/ ND PEcoronoelectrets is maximum in 0.5-2% range of ND PEaddition. Same behavior is observed for HDPE/PP, but for HDPE/PP the maximum of Uk (compensation potential)is about 1.5 times less than for PP/NDPE. Preliminary γ- radiation in air up to 10 Mrad dose does not change the character of the given dependence. In Figure 1 the change of surface density is displayed in coronoelectrets from intermixtures of PP and LDPE charged in the same condition tch =5 min, Uch = 7 kV depending on concentration of one of the builders.



The surface density of software intermixture electrets charge with LDPE components in all intervals of the explored 0-50 masses % concentrations irradiated by 3 and 5 Mrad dose in the above mentioned samples of PP in Figure 1.

The electrets surface density charges from LD PEwith PP components irradiated by 3-5 Mrad dose is always below than at initial PELD transits through a maximum approximately in the field of 10 % masses of the PP component.

In Figure 2 charge  electrets surface density wane kinetics a of from mixture compositions of PP- LD PEconfirm that LDPE components in PP raise the quantity of electrets charge surface density in all the explored intervals of shelf times in not short-circuited state. PP Components in PELD excite magnification of electrets charge density (especially 10 % masses), but in due course storages this effect less we shall feel and approximately in 720 hours, quantities of electrets charge effective surface density basically are commensurable.



Preliminary γ-radiation by 3 and 5 Mrad doses raises the quantity of surface density of electrets from intermixtures of PP-LDPE and LDPE-PP and the irradiated samples of intermixtures in all explored space of storage time (till 1200 hours) have a greater meaning of charge  surface density quantity than initial (non-irradiated) polymer mix, polymer mix in Figure 3. Thus preliminary γ-radiation on air is not an effective coronoelectrets stability magnification expedient from intermixtures of polyolefin, and their charge surface density and the quantity depends on the core of mixture concentration rate.

Thus, the preliminary -radiation in air is not the effective method for increasing of polyolefine mixes coronoelectrets stability and their surface charge density depends mainly on the components concentration relation.

REFERENCES


  1. Gubkin A.N. Electrets. M.: Science, 1978. 192 p.

  2. Sessler G.N. Electrets. M.: World, 1983. 487 p.

  3. Gorohovatsty U.A. Bases of thermodepolarizing the analysis. M.: Science,1981.176 p.

  4. Boytsov V.G., Richkov A.A. Definition of the mechanism of a relaxation of a charge in not polar dielectrics. JTF. T.55, № 5, 1985, 881-886 p.

  5. Kerimov M.K., Bagirov M.A., Aliyev A.A. Influence scale of radiation on stability coronoelectrets from mixes of polythene with polypropylene. Thesis report at a 4 internation conference “Nuclear physics”, Alma-Ata, 2003, 467-468 p.

  6. Aliyev A.A. Electrets property of resin mix. Power engineering problems, № 5, 2003, 53-56 p.

  7. Aliyev A.A. Electrets on the basis of polymeric compounds, polymer mix and composite materials. J.Bilqi, № 2, 2005, 15-29 p.



НЕКОГЕРЕНТНОЕ РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ НА КРИСТАЛЛАХ
С.К. Абдулвагабова, Н.Ш.Бархалова, Т.О.Байрамова

1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azrefs.org 2016
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə